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等离子体辅助电子束蒸发沉积TiN薄膜

摘要:全部作者:张茂平 陈俊芳 史磊 符斯列 赖秀琼 黄孟祥 张洪宾第1作者单位:华南师范大学物电学院论文摘要:利用朗缪尔静电双探针诊断了电子束蒸发镀膜装置反应室等离子体密度,分析了其分布规律,讨论了气压和射频功率对其的影响,获得了优化的等离子体工艺条
关键词:等离子体,辅助,电子束,蒸发,沉积,TiN,薄膜,全部,作者

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全部作者: 张茂平 陈俊芳 史磊 符斯列 赖秀琼 黄孟祥 张洪宾 第1作者单位: 华南师范大学物电学院 论文摘要: 利用朗缪尔静电双探针诊断了电子束蒸发镀膜装置反应室等离子体密度,分析了其分布规律,讨论了气压和射频功率对其的影响,获得了优化的等离子体工艺条件. 采用TCP等离子体辅助电子束蒸发沉积技术,在室温条件下玻璃基片上制备了纳米结构的氮化钛薄膜. 运用X射线衍射仪和台阶仪对该薄膜进行表征.结果表明:反应室内靠近离子源的等离子体密度大且分布不均匀,远离离子源的等离子体的密度小且趋于均匀;薄膜沉积速率高达47nm/min,TiN薄膜呈晶态且具有(111)择优取向. 关键词: 朗缪尔静电双探针;电子束蒸发镀膜;TiN薄膜 (浏览全文) 发表日期: 2006年09月22日 同行评议:

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